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等離子刻蝕速率
發布時間：2025-9-11什么是刻蝕
刻蝕是采用化學或物理方法有選擇地從芯片表面去除不需要材料的過程。刻蝕目的：在涂膠的芯片表面上正確的復制掩膜圖形。
什么是物理干法刻蝕
目前刻蝕采用的物理方法是使用等離子刻蝕系統把芯片表面暴露于氣態中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口與芯片發生物理或化學反應（或兩種反應），從而去掉暴露的表面材料。
什么等離子刻蝕速率
等離子刻蝕速率指等離子刻蝕過程去除芯片表面不需要材料的速度。等離子刻蝕速率通常用 Å/min
表示，刻蝕速率=Å/min。刻蝕速率正比于蝕劑濃度，與芯片表面形狀等因素有關。等離子刻蝕電介質及金屬材料的刻蝕速率
模塊化工藝處理系統即等離子刻蝕系統是為了滿足廣泛的研發及生產領域的等離子工藝處理要求而研發的多功能平臺。
盡管每個用戶的刻蝕應用可能不一樣，不同等離子工藝應用的基本效果如下表所示。我們致力于協助客戶獲取的等離子工藝性能。
等離子刻蝕工藝
電介質-含氯化學
注：蝕刻速率及選擇性可以優化，提供產出效率。
等離子刻蝕工藝
電介質-含氟化學
| 被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均勻性 (±%) |
| Thermal SiO2 二氧化硅 | Silicon | 450 | 10:1 | 3% |
| PECVD SiO2 PECVD 二氧化硅 | Silicon | 450 | 10:1 | 5% |
| 4%PSG | Silicon | 550 | 12:1 | 5% |
| PECVD SiN3 | Oxide | 450 | 4:1 | 5% |
| LPCVD SiN3 | Oxide | 300 | 2:1 | 5% |
| Isotropic | Silicon | 250 | 10:1 | 5% |
| Single Xtal 單晶體 | n/a | 300 | (mask) 2:1 | 5% |
| TiW | Oxide | 250 | 3:1 | 5% |
| Molybdenum 鉬 | Oxide | 1000 | 15:1 | 8% |
| Polyimide 聚酰亞胺 | Aluminum | 600 | >30:1 | 5% |
| Photo-Resist 光刻膠 | Oxide | 1000 | >20:1 | 5% |
電介質-含氯化學
| 被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均 勻 性 (±%) |
| Pure Aluminum 純鋁 | Thermal Oxide | 800 | 12:1 | 4% |
| Al/1-2%Si | Thermal Oxide | 600 | 8:1 | 5% |
| Al/<2%Cu | Thermal Oxide | 500 | 6:1 | 5% |
| Polysilicon | Thermal Oxide | 400 | 15:1 | 5% |
| Single Xtal | n/a | 500 | (mask) 10:1 | 5% |
| GaAs Via | n/a | 1µ/min | >10:1 | 5% |
注：蝕刻速率及選擇性可以優化，提供產出效率。